本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料和納米技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種氧化鎵異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及其生長方法，特別是涉及一種β-Ga2O3和k-Ga2O3形成的具有偽四次對稱的納米尺度氧化鎵異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的方法和專用裝置。該氧化鎵異質(zhì)結(jié)包括β-Ga2O3納米線狀主干和其表面上的k-Ga2O3納米柱，其中β-Ga2O3納米線長度為5～100μm長，直徑在50～1000nm；k-Ga2O3納米柱尺寸在50～200nm，在β-Ga2O3納米線表面呈現(xiàn)偽四次對稱分布。本發(fā)明所采用的方法是在化學(xué)氣相沉積過程中，精確控制沉積區(qū)域溫度和氨氣流量，通過自發(fā)形成的一種k-Ga2O3/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，所得的k-Ga2O3是氧化鎵體系中的一種新的晶型結(jié)構(gòu)，具有正交對稱性。所制的k-Ga2O3/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)在紫外光區(qū)具有非常強的陰極射線熒光性能，并且具有分立的發(fā)光特性，適合用作紫外光電探測器和光解水制氫。