確定硅樣品中的摻雜劑雜質(zhì)的濃度的方法包括:提供包括給體類型摻雜劑雜質(zhì)和受體類型摻雜劑雜質(zhì)的硅錠;通過(guò)如下確定其中發(fā)生在第一導(dǎo)電性類型和相反的第二導(dǎo)電性類型之間的轉(zhuǎn)變的該錠的第一區(qū)域的位置的一個(gè)步驟(F1):對(duì)該錠的多個(gè)部分進(jìn)行基于氫氟酸、硝酸、和乙酸的化學(xué)處理,由此使得在所述多個(gè)部分中與所述第一導(dǎo)電性類型和所述第二導(dǎo)電性類型之間的轉(zhuǎn)變對(duì)應(yīng)的一個(gè)中顯露缺陷;測(cè)量與所述第一區(qū)域分開的該錠的第二區(qū)域中的自由載流子濃度的一個(gè)步驟(F2);和基于該錠的所述第一區(qū)域的位置以及所述第二區(qū)域中自由載流子濃度確定該樣品中的摻雜劑雜質(zhì)的濃度的一個(gè)步驟(F3)。
聲明:
“確定補(bǔ)償硅樣品的摻雜劑含量” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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