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絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法

862   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:57:44
一種絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法,它包括:(1)、根據(jù)所要檢測的應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的晶體學(xué)結(jié)構(gòu)特征,按X射線雙晶對稱衍射幾何進(jìn)行實(shí)驗(yàn)布置;(2)、利用同步輻射單色光對樣品進(jìn)行雙晶對稱衍射獲得搖擺曲線,得到應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的衍射峰;(3)、將樣品以表面法線為軸旋轉(zhuǎn)180°,再次獲得搖擺曲線;(4)、比較旋轉(zhuǎn)180°前后的雙晶搖擺曲線,判斷各衍射峰與衍射結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系;(5)、調(diào)整入射線的入射角度,以使SI層衍射合峰呈現(xiàn)非對稱性或出現(xiàn)分立的峰;(6)、固定入射線的入射角度,在各衍射峰上拍攝對應(yīng)衍射結(jié)構(gòu)的同步輻射形貌像。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:實(shí)驗(yàn)程序簡單、快捷,無須破壞樣品即可獲得應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)中位錯(cuò)的空間分布情況以及相關(guān)晶體學(xué)信息。
聲明:
“絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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