公開了一種無損檢測
半導(dǎo)體材料(2)的內(nèi)部缺陷的設(shè)備和方法。半導(dǎo)體材料(2)具有長度(L)、橫截面區(qū)(Q)以及與所述長度(L)對齊的側(cè)面(5)。超聲波設(shè)備(10)被分配到所述半導(dǎo)體材料(2)。此外,設(shè)置在所述超聲波設(shè)備(10)和半導(dǎo)體材料(2)的側(cè)面(5)之間產(chǎn)生沿著半導(dǎo)體材料(2)的側(cè)面(5)的長度(L)的相對運(yùn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)(9)。
聲明:
“無損檢測半導(dǎo)體材料內(nèi)部缺陷的方法和設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)