本發(fā)明公開了一種無損測量納米線陣列比表面積和密集度的裝置,所述納米線陣列垂直設(shè)于導(dǎo)電基底層頂面,該裝置包括電解池,設(shè)于所述導(dǎo)電基底層底面的背電極,設(shè)于所述納米線陣列對應(yīng)側(cè)的對電極,以及覆蓋于所述導(dǎo)電基底層頂面未生長納米線區(qū)域的絕緣層;所述納米線陣列和所述對電極浸入所述電解池中的電解液內(nèi),同時所述導(dǎo)電基底層和所述背電極與所述電解液絕緣設(shè)置,最后在所述背電極和所述對電極之間加上偏壓U形成電解池回路結(jié)構(gòu),其優(yōu)點在于,本發(fā)明測量納米線陣列比表面積和密集度的方法為無損測量,同時適用于大面積一維納米結(jié)構(gòu)陣列的比表面積和密集度測量,且不會破壞納米線陣列的完整性。
聲明:
“無損測量納米線陣列比表面積和密集度的裝置及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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