一種抑制GaN半橋模塊電壓尖峰與電流諧振的無損緩沖電路及其測(cè)試電路,屬于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有使用GaN功率器件的半橋模塊,由于功率器件開關(guān)速度快而引起的電壓與電流尖峰會(huì)危害系統(tǒng)穩(wěn)定的問題。它主要由電感、電容與二極管依次并聯(lián)后再與另一電容串聯(lián)構(gòu)成;所述無損緩沖電路連接在GaN半橋模塊的上橋臂功率器件漏極與下橋臂功率器件源極之間。本發(fā)明在橋式電路拓?fù)涞墓β驶芈芳纳姼须娏髯兓瘯r(shí),可為其提供低阻抗回路,從而抑制了功率器件兩端的尖峰電壓,并可破壞GaN半橋模塊中的電流諧振回路,從而避免模塊出口處的電流振蕩。
聲明:
“抑制GaN半橋模塊電壓尖峰與電流諧振的無損緩沖電路及其測(cè)試電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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