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半導體器件封裝結構的檢測方法

1150 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:58:11

本發(fā)明提供了一種半導體器件封裝結構的檢測方法，包括：利用熱阻測試儀檢測待測的半導體器件封裝結構，得到第一微分熱阻結構函數(shù)曲線；對該封裝結構進行失效試驗；利用熱阻測試儀檢測該封裝結構，得到第二微分熱阻結構函數(shù)曲線；比較所得到的兩條曲線，若第二曲線相對于第一曲線各點的偏離度均小于或等于偏離度閾值，則該封裝結構未失效，若第二曲線相對于第一曲線存在偏離度大于偏離度閾值的點，則該封裝結構失效，偏離度大于偏離度閾值的點所在的層結構曲線表示的層結構為該封裝結構的失效部位。本發(fā)明所提供的方法能夠在提高檢測結果的準確性、降低檢測過程的安全隱患、降低檢測成本的基礎上，實現(xiàn)對半導體封裝器件的無損檢測。

聲明：

“半導體器件封裝結構的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)