本發(fā)明公開了一種基于多對電極電容成像檢測技術(shù)判別非導(dǎo)體缺陷深度的方法，涉及無損檢測信號處理領(lǐng)域，包括：接收輸入的多對電極電容成像檢測信號，其中所述檢測信號包含缺陷檢測信號Y_n和無缺陷檢測信號YS_n；求缺陷信號變化值△Y_n＝Y(jié)_n?YS_n,并同時(shí)判斷缺陷信號變化值△Y_n是否大于等于預(yù)設(shè)閥值P_n；如果否，則判斷缺陷不存在；如果是，則判斷缺陷存在；對缺陷信號Y_n對應(yīng)的橫坐標(biāo)X_n進(jìn)行坐標(biāo)變換，變換后的橫坐標(biāo)HX_n＝X_n?d_n/2；對缺陷信號Y_n進(jìn)行變換，變換后的縱坐標(biāo)HY_n＝Y(jié)_n./YS_n；并根據(jù)橫坐標(biāo)HX_n與縱坐標(biāo)HY_n繪制曲線圖；當(dāng)缺陷所對應(yīng)曲線圖的波谷個(gè)數(shù)為1時(shí)，確定最大電極對編號C_a；當(dāng)同一缺陷所對應(yīng)曲線圖的波谷個(gè)數(shù)為2時(shí)，確定最小電極對編號C_b；則判定此缺陷的深度位于電極對C_a與C_b的有效檢測深度之間。