本發(fā)明公開了一種基于單對電極電容成像檢測技術(shù)的開口缺陷多提離數(shù)據(jù)庫量化方法,涉及無損檢測信號處理領(lǐng)域,包括:基于模型仿真并插值構(gòu)建帶被測試件材料屬性的欲量化開口缺陷深度h和寬度d與多提離下單對電極電容成像檢測缺陷畸變率ΔC關(guān)系,根據(jù)對已知尺寸缺陷的實驗檢測結(jié)果修正模型和實驗的關(guān)系,利用未知缺陷檢測結(jié)果呈現(xiàn)的多提離下畸變率特征以反演開口缺陷深度h和寬度d,以實現(xiàn)單對電極電容成像用于開口缺陷的定量化檢測。本發(fā)明通過仿真建立數(shù)據(jù)庫,實驗修正數(shù)據(jù)庫,最后再應(yīng)用于實驗量化中,實驗表明該方法合理有效且具有較高的量化精度,為缺陷的三維重構(gòu)提供精確的缺陷二維量化尺寸以最終結(jié)合蛇形面掃描數(shù)據(jù)實現(xiàn)缺陷三維重構(gòu)。
聲明:
“基于單對電極電容成像檢測技術(shù)的開口缺陷多提離數(shù)據(jù)庫量化方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)