本發(fā)明的裝置對被測器件施加連續(xù)脈沖功率,當(dāng)發(fā)生反偏二次擊穿時(shí),通過設(shè)置在基極電路中的反偏二次擊穿檢測器檢測射頻振蕩,而后經(jīng)單穩(wěn)、R-S觸發(fā)器進(jìn)行反偏二次擊穿指示、讀數(shù)、終止測試一系列操作。與此同時(shí),從被測器件的集電極設(shè)置一套獨(dú)立的保護(hù)電路。該電路檢測在集電極出現(xiàn)的任何負(fù)沿,并加以保護(hù),由于負(fù)沿觸發(fā)的高速度可以實(shí)現(xiàn)無損傷測試。又由于該高速保護(hù)電路所固有的微小延遲與SB檢測器射頻檢測的脈沖形成電路的時(shí)間差,使保護(hù)與SB指示二者互不影響。
聲明:
“晶體管反偏二次擊穿測試裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)