本發(fā)明屬于材料物理特性檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種測(cè)量鑲嵌薄膜楊氏模量的方法,包括下列步驟:(1)建立鑲嵌薄膜及硅襯底的仿真模型;(2)確定鑲嵌薄膜及硅襯底的參數(shù);(3)確定鑲嵌薄膜及硅襯底的邊界條件;(3)利用有限元的方法繪制一系列鑲嵌薄膜基體取不同楊氏模量時(shí)的理論頻散曲線;(5)對(duì)待測(cè)樣本的鑲嵌薄膜的實(shí)際頻散曲線進(jìn)行測(cè)量;(6)將測(cè)量得到的待測(cè)樣本的鑲嵌薄膜的實(shí)際頻散曲線與理論頻散曲線進(jìn)行匹配,得到鑲嵌薄膜的楊氏模量。本發(fā)明能夠無(wú)損、快速、準(zhǔn)確的測(cè)量電介質(zhì)材料的楊氏模量,解決了以前方法不能測(cè)量鑲嵌結(jié)構(gòu)薄膜中電介質(zhì)楊氏模量的問(wèn)題。
聲明:
“測(cè)量鑲嵌薄膜楊氏模量的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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