本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體等離子體頻率測量方法。本發(fā)明首先將兩個金屬刀片平行設(shè)置在待測半導(dǎo)體表面上方，然后向其中一個刀片刃口與待測半導(dǎo)體表面之間的狹縫發(fā)射寬頻電磁波，在待測半導(dǎo)體表面激發(fā)出表面等離子體波，并利用設(shè)置在另一刀片外側(cè)的光譜分析裝置接收耦合出的電磁波；通過調(diào)整寬頻電磁波頻率以及兩個刀片的間距，使得光譜分析裝置剛好不能接收到入射寬頻電磁波的全部頻率信號，記錄下此時光譜分析裝置所能探測到的最大頻率值；將該最大頻率值乘以，即為待測半導(dǎo)體的等離子體頻率。本發(fā)明方法利用表面等離子體波在半導(dǎo)體表面的傳播特性對半導(dǎo)體等離子體頻率進行準(zhǔn)確實時地測量，具有實現(xiàn)成本低、對半導(dǎo)體無損傷、測量范圍廣等優(yōu)點。