本發(fā)明公開一種采用混合半導(dǎo)體技術(shù)的RCC電路,涉及開關(guān)電源領(lǐng)域,電路采用了LDMOS器件和GaN基HEMT器件,提高電路工作頻率至數(shù)百kHz。兩種類型器件采用了同一個硅襯底,三晶體管共用一個晶圓,減小體積、提升可靠性控制。電路通過第三輔助繞組N
a,采用正反饋模式的自激驅(qū)動腔自動為Si基LDMOS器件Q3提供驅(qū)動信號,無須控制
芯片。采用了集成式的高頻電流逐周期檢測方案,與自激驅(qū)動腔共用一個線圈,省去了電流檢測電阻,實現(xiàn)了無損耗電流檢測。電路還采用了積分反饋法實現(xiàn)原邊反饋,通過在關(guān)斷時間內(nèi),對第一GaN HEMT器件Q1漏極電壓進(jìn)行積分計算,間接獲取輸出電壓信息,從而實現(xiàn)對輸出電壓的實時精確調(diào)控。
聲明:
“采用混合半導(dǎo)體技術(shù)的RCC電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)