本發(fā)明公開了一種高效調(diào)控CVD單晶金剛石局部區(qū)域位錯密度的方法。本方法采用等離子體刻蝕、表面形貌檢測以及正交偏光成像等復(fù)合技術(shù)，能夠快速、無損判斷金剛石襯底中的高位錯密度區(qū)域。通過飛秒激光等高能粒子束，對金剛石襯底中高位錯密度區(qū)域進行靈活、高效的圖形化加工。結(jié)合在圖形化區(qū)域中掩膜材料的選取與鋪設(shè)，此方法能夠阻斷加工圖案底部區(qū)域位錯向CVD金剛石生長層的延伸，調(diào)控圖案側(cè)面區(qū)域位錯線的延伸方向，釋放圖形化區(qū)域生長過程中的應(yīng)力，從而能夠有效降低CVD金剛石生長層中局部區(qū)域的位錯密度和殘余應(yīng)力，實現(xiàn)對生長層中缺陷和結(jié)晶質(zhì)量的針對性調(diào)控，提高CVD金剛石生長的均勻性和晶體質(zhì)量。