本發(fā)明公開(kāi)了一種p型銅鐵礦結(jié)構(gòu)透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,是先按銅、鉻和M的摩爾比為1∶(0.75~1)∶(0~0.25),稱量氧化亞銅、氧化鉻及金屬M(fèi)的氧化物,將原料混合后球磨;再將球磨之后的粉末壓坯,制備成復(fù)合靶材,靶材為常溫制備未經(jīng)高溫?zé)Y(jié),氧化亞銅和氧化鉻及M的氧化物未發(fā)生化學(xué)反應(yīng);用得到的靶材通過(guò)脈沖激光沉積法在基板上沉積CuCr1-xMxO2薄膜,0≤x≤0.25。制得的銅鐵礦結(jié)構(gòu)多晶CuCr1-xMxO2(0≤x≤0.25)薄膜具有較高的電導(dǎo)率和可見(jiàn)光透過(guò)率,實(shí)驗(yàn)結(jié)果具備可重復(fù)。
聲明:
“P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)