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覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法

1001 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 08:59:29

本發(fā)明公開了一種覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法，所述制備方法包括：提供待測的覆晶芯片，包括封裝基底與制備于封裝基底上的裸片，裸片的外部覆蓋有塑封體，裸片與封裝基底之間連接有金凸塊，封裝基底的底部焊接有錫球；研磨裸片外部的塑封體直至裸露出裸片的晶背；將裸片的背面結合到一玻璃基板上，玻璃基板上設有導電片；用封裝綁線將玻璃基板上的導電片與封裝基底底部的錫球電性連接，以得到檢測樣品。本發(fā)明覆晶芯片失效分析檢測樣品的制備方法，通過研磨掉裸片的背面的塑封體，再將裸片的背面結合在玻璃基板上進行失效分析，不必腐蝕塑封體以及分離封裝基底與裸片，從而避免了取裸片的過程中金凸塊被腐蝕的可能性。

聲明：

“覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)