本發(fā)明涉及一種GOI失效點(diǎn)無(wú)損定位方法及GOI失效分析方法，包括步驟1，去除待分析樣品的金屬互連層，獲取具有裸露salicide層的預(yù)處理待分析樣品；步驟2，基于PVC法，采用電子束照射所述預(yù)處理待分析樣品的salicide層，并觀察其是否發(fā)亮；是，則所述待分析樣品存在GOI失效點(diǎn)，執(zhí)行步驟3；否，則所述待分析樣品不存在GOI失效點(diǎn)，結(jié)束操作；步驟3，將電子束照射時(shí)發(fā)亮的salicide層切割成多個(gè)相對(duì)分離的區(qū)域；步驟4，再次基于PVC法，采用電子束照射所述區(qū)域，并找出所述區(qū)域中發(fā)亮的salicide層；步驟5，循環(huán)執(zhí)行步驟3和步驟4，直至電子束照射時(shí)發(fā)亮的salicide層的大小不能進(jìn)行切割時(shí)，結(jié)束操作。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)GOI失效點(diǎn)的高精度定位，且整個(gè)定位過程不會(huì)導(dǎo)致GOI失效點(diǎn)的進(jìn)一步破壞。