本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體
芯片的失效分析方法,包括:切割半導(dǎo)體芯片制備具有橫截面的樣品;對(duì)樣品的衡截面進(jìn)行研磨拋光、水洗并干燥樣品;配置化學(xué)染色液;將拋光好的樣品放入所述化學(xué)染色液中進(jìn)行染色處理;對(duì)染色處理后的樣品進(jìn)行清洗并干燥樣品;將樣品放置在掃描電鏡中進(jìn)行檢查并進(jìn)行顯微攝影,進(jìn)行失效分析。本發(fā)明在對(duì)樣品進(jìn)行研磨拋光之后,還采用化學(xué)染色液對(duì)樣品表面進(jìn)行化學(xué)處理,最后才使用掃描電子顯微鏡對(duì)摻雜物分布和結(jié)面輪廓進(jìn)行二維描述,并且能夠以較高的空間分辨率精確描繪摻雜剖面,從而可以對(duì)樣品的失效節(jié)點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)而準(zhǔn)確的分析。
聲明:
“半導(dǎo)體芯片的失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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