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半導(dǎo)體失效檢測(cè)結(jié)構(gòu)及形成方法、檢測(cè)失效時(shí)間的方法

901   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:30
一種導(dǎo)體失效檢測(cè)結(jié)構(gòu)以及形成方法和檢測(cè)方法,所述檢測(cè)結(jié)構(gòu)包括:基底,所述基底具有核心器件區(qū)和外圍器件區(qū),所述核心器件區(qū)的基底上具有分立的第一金屬層和待測(cè)金屬層,通過(guò)待測(cè)導(dǎo)電插塞相互連接;所述外圍器件區(qū)的基底上具有若干重疊排布的測(cè)試焊盤(pán)和若干加載焊盤(pán)并通過(guò)貫通介質(zhì)層內(nèi)的測(cè)試導(dǎo)電插塞和加載導(dǎo)電插塞進(jìn)行連接;在待測(cè)金屬層的同一層具有焊盤(pán)金屬層,所述焊盤(pán)金屬層通過(guò)測(cè)試導(dǎo)電插塞和加載導(dǎo)電插塞分別與測(cè)試焊盤(pán)、加載焊盤(pán)連接,所述焊盤(pán)金屬層通過(guò)至少兩個(gè)頂層導(dǎo)電插塞與第一金屬層連接。所述檢測(cè)結(jié)構(gòu)能夠在不破壞標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)結(jié)構(gòu)以及不擴(kuò)大設(shè)計(jì)區(qū)域面積的情況下,提高電遷移檢測(cè)的準(zhǔn)確性。
聲明:
“半導(dǎo)體失效檢測(cè)結(jié)構(gòu)及形成方法、檢測(cè)失效時(shí)間的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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