本發(fā)明涉及一種激光器
芯片失效定位分析樣品制備方法及中間件。該方法及中間件連帶熱沉一同取下,在芯片周圍粘接墊腳用作保護,通過研磨的方式去掉熱沉,持續(xù)研磨去除襯底處金層,至芯片襯底完全露出,適用于多種封裝形式的半導體激光器芯片,也適用于不同材料體系的如ⅢⅤ族、ⅡⅥ族、硅基的半導體激光器芯片,該方法可直接對百um量級微小易碎的激光器芯片進行制樣,無需采用各種精密的微納米加工設備。注重對樣品保護,可有效避免在失效樣品取樣過程中或制樣過程中的樣品損傷。制樣完成后探測點在同一平面上,便于加電測試。采用的可清洗粘接劑,樣品可取出,利于后續(xù)其他分析。
聲明:
“激光器芯片失效定位分析樣品制備方法及中間件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)