本發(fā)明涉及半導(dǎo)體缺陷分析技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種柵氧化層缺陷原貌的失效分析方法,首先在一個(gè)預(yù)設(shè)電壓的條件下篩選出具有柵氧化層缺陷的待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),然后對該具有柵氧化層缺陷的待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行操作,先研磨掉金屬互連層,然后用掃描電鏡電壓對比方法確定柵氧化層缺陷位置,再依次去除互連線、介電層和柵極,并在剩下的柵氧化層上沉積一層與柵氧化層透射電鏡襯度對比度較大的襯度對比層,在有問題的柵極區(qū)域進(jìn)行透射電鏡樣品制備,最后通過透射電鏡來進(jìn)行分析。通過該方法可以清晰的觀察柵氧化層缺陷原貌,為查找柵氧化層制程工藝缺陷提供有力的依據(jù)和方向。
聲明:
“柵氧化層缺陷原貌的失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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