本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種三維存儲(chǔ)器的失效分析方法。所述三維存儲(chǔ)器的失效分析方法包括如下步驟:提供一存儲(chǔ)區(qū)域,所述存儲(chǔ)區(qū)域包括多條平行設(shè)置的陣列共源極,相鄰陣列共源極之間具有插塞,所述插塞的端部用于與字線電連接;獲取與失效字線電連接的目標(biāo)插塞的位置;形成連接線于所述存儲(chǔ)區(qū)域,所述連接線電連接所述存儲(chǔ)區(qū)域內(nèi)的所有陣列共源極;分別引出所述目標(biāo)插塞與一所述陣列共源極的觸點(diǎn)至所述三維存儲(chǔ)器外部,以對所述失效字線進(jìn)行熱點(diǎn)定位分析。本發(fā)明提高了三維存儲(chǔ)器在失效分析過程中熱點(diǎn)定位的準(zhǔn)確度和定位的效率,確保了三維存儲(chǔ)器失效分析結(jié)果的可靠性。
聲明:
“三維存儲(chǔ)器的失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)