本發(fā)明涉及一種晶圓研磨方法及晶圓失效分析方法。所述晶圓研磨方法包括如下步驟:提供初始晶圓,位于所述初始晶圓的邊緣的裸
芯片中具有測(cè)試地址;形成重組晶圓,使得具有所述測(cè)試地址的裸芯片位于所述重組晶圓的中部;進(jìn)行至少一次如下循環(huán)步驟,所述循環(huán)步驟包括:于所述重組晶圓暴露的當(dāng)前層上形成保護(hù)層,所述保護(hù)層至少位于所述測(cè)試地址上方;研磨所述重組晶圓中未被所述保護(hù)層覆蓋的所述當(dāng)前層;去除所述保護(hù)層和所述保護(hù)層下方殘留的所述當(dāng)前層;判斷所述測(cè)試地址是否暴露,若否,則以暴露的所述下一層作為下一次循環(huán)步驟的當(dāng)前層。本發(fā)明能夠使得測(cè)試地址能夠完整、平坦的暴露,減少甚至是避免了柵極本體的漏電問題。
聲明:
“晶圓研磨方法及晶圓失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)