本發(fā)明提供了一種缺陷樣品的制備方法及互連結(jié)構(gòu)缺陷的失效分析方法，所述缺陷樣品的制備方法包括：提供一具有待分析缺陷的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；在互連結(jié)構(gòu)中形成一標(biāo)記，標(biāo)記與待分析缺陷間隔設(shè)置；研磨互連結(jié)構(gòu)獲得缺陷樣品，其中，標(biāo)記周圍的互連結(jié)構(gòu)在研磨過(guò)程中沿標(biāo)記的側(cè)壁出現(xiàn)分層狀況，并通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀察根據(jù)分層狀況判斷互連結(jié)構(gòu)的剩余層數(shù)以實(shí)現(xiàn)研磨過(guò)程的定位。本發(fā)明中，通過(guò)在待分析缺陷周圍形成標(biāo)記，且標(biāo)記的側(cè)壁暴露互連結(jié)構(gòu)，利用研磨過(guò)程中對(duì)標(biāo)記的側(cè)壁的研磨程度的差異使得標(biāo)記附近的互連結(jié)構(gòu)出現(xiàn)分層狀況，通過(guò)該分層狀況以對(duì)該研磨過(guò)程實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確定位，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便且高效的制備缺陷樣品。