本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的覆蓋層剝除方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)失效分析方法，涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)失效分析技術(shù)領(lǐng)域，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的覆蓋層剝除方法包括如下步驟：提供承載基板，將多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)固定連接在所述承載基板的上表面，且半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的覆蓋層位于主體的上方；對(duì)承載基板上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的襯底進(jìn)行離子注入，然后對(duì)離子注入后的襯底進(jìn)行加熱；去除破裂殘?jiān)粚?duì)剩余在主體上的襯底進(jìn)行研磨，以去除襯底。本方案可以同時(shí)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行集中處理，離子注入與加熱操作配合，使襯底開(kāi)裂，達(dá)到去除襯底的絕大部分的效果，減少了對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械研磨時(shí)間，能夠提高獲取的主體的良品率。