本發(fā)明提供一種焊球失效的球柵陣列封裝中近場(chǎng)測(cè)量值的預(yù)測(cè)方法及系統(tǒng),屬于
芯片封裝領(lǐng)域。所述方法包括:通過(guò)仿真分析得到焊球失效的球柵陣列封裝的輻射場(chǎng);建立近場(chǎng)測(cè)量的等效電路模型;根據(jù)所述等效電路模型和所述輻射場(chǎng)計(jì)算所述等效電路模型的輸出電壓。本發(fā)明提供的預(yù)測(cè)方法能夠快速準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)得到焊球失效的球柵陣列封裝近場(chǎng)磁場(chǎng)的輸出電壓和近場(chǎng)電場(chǎng)的輸出電壓,為判斷焊球失效對(duì)球柵陣列封裝的輻射場(chǎng)影響提供數(shù)據(jù)依據(jù)。該預(yù)測(cè)方法準(zhǔn)確有效,不需要搭建暗室,降低測(cè)量成本,降低近場(chǎng)測(cè)量值的測(cè)量誤差。
聲明:
“焊球失效的球柵陣列封裝中近場(chǎng)測(cè)量值的預(yù)測(cè)方法及系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)