本發(fā)明公開了一種監(jiān)測(cè)器件的低工作電壓失效的測(cè)試方法,涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。該方法為:建立多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu),所有的所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)均相同;在每個(gè)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)上均放置有寬度不同的遮蓋板;對(duì)所有的所述測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行離子摻雜,被遮蓋板覆蓋的區(qū)域不能進(jìn)行離子摻雜,能進(jìn)行離子摻雜的區(qū)域?yàn)樗鰷y(cè)試結(jié)構(gòu)的工作區(qū)間;同時(shí)測(cè)試所有所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的飽和電流和工作電壓,根據(jù)測(cè)試結(jié)果獲取所述測(cè)試結(jié)構(gòu)所對(duì)應(yīng)的工作區(qū)間是否存在是失效,從而獲取器件的低工作電壓是否失效。該方法能夠快速確認(rèn)低工作電壓是否存在失效現(xiàn)象;批量快速找出制程在該類問題的工作區(qū)間,縮短了制程開發(fā)周期,有效節(jié)約了開發(fā)成本。
聲明:
“監(jiān)測(cè)器件的低工作電壓失效的測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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