本公開(kāi)是關(guān)于一種失效單元測(cè)試方法及裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子設(shè)備，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該失效單元測(cè)試方法包括：在系統(tǒng)開(kāi)機(jī)后，向所述DRAM中寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)；停止向所述DRAM發(fā)送刷新指令，并等待預(yù)設(shè)時(shí)間；讀取所述DRAM中的數(shù)據(jù)，并將所述讀取的數(shù)據(jù)與寫(xiě)入的所述測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與寫(xiě)入的所述測(cè)試數(shù)據(jù)比較的結(jié)果，確定所述DRAM中發(fā)生翻轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)；根據(jù)所述發(fā)生翻轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)單元確定所述DRAM中的失效單元。本公開(kāi)提供一種在應(yīng)用端執(zhí)行失效單元測(cè)試的方法。