本發(fā)明公開一種動態(tài)估計缺陷所造成記憶體特征失效的方法,包括:(1)建立設(shè)計版圖圖形失效和記憶體特征失效相對應(yīng)的數(shù)據(jù)庫;(2)判斷生產(chǎn)線缺陷所造成的版圖圖形失效;(3)判斷圖形失效特征相對應(yīng)的記憶體特征失效;(4)判斷整個記憶體
芯片是否成品。本發(fā)明利用記憶體設(shè)計版圖和生產(chǎn)線上缺陷檢測結(jié)果相結(jié)合來動態(tài)地預(yù)估落在記憶體內(nèi)部的生產(chǎn)缺陷所造成的特征失效的方法,結(jié)合可用的修復(fù)資源做來初步判斷該記憶體成品與否。本發(fā)明方法可以對缺陷進(jìn)行動態(tài)即時的分析以及在電學(xué)測量之前估計成品與否,可用于集成電路制造時動態(tài)地預(yù)估記憶體生產(chǎn)線上檢測到的缺陷所造成的記憶體特征失效。
聲明:
“動態(tài)估計缺陷所造成記憶體特征失效的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)