本發(fā)明提供了一種晶體管柵極硅氧化層失效機理的鑒定方法,所述鑒定方法包括:提供晶圓樣品并確定失效區(qū)域,采用化學試劑去除失效區(qū)域內(nèi)位于硅基體表面的全部膜層,對硅基體的表面硅缺陷進行刻劃,根據(jù)硅缺陷或硅晶體缺陷的形狀判斷柵極硅氧化層的失效機理,如果硅缺陷是晶體狀且呈現(xiàn)“多個方斗型組合坑”結(jié)構,表明柵極硅氧化層的失效原因是污染造成的。本發(fā)明提供的鑒定方法主要用于快速鑒定晶體管柵極硅氧化層的失效機理,可以快速找到柵極硅氧化層的失效原因,從而對癥下藥,選擇合適的解決方案,提高了晶體管柵極硅氧化層失效分析方法的準確率、成功率和檢測速度,大大降低了分析成本和不必要的分析成本。
聲明:
“晶體管柵極硅氧化層失效機理的鑒定方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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