本發(fā)明公開了一種避免燒傷的功率半導(dǎo)體
芯片失效定位方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:將芯片置于難燃液體中;通過源表為芯片提供預(yù)定電壓或預(yù)定電流;通過微光顯微鏡探測芯片的失效位置。解決了芯片的保護(hù)層損傷處或原始失效位置在加載電壓后產(chǎn)生燒痕,導(dǎo)致后續(xù)失效分析增加難度的問題,達(dá)到了保持原始失效位置的形貌,避免在原始失效位置及有缺陷的保護(hù)結(jié)構(gòu)處產(chǎn)生額外的燒痕的效果。
聲明:
“避免燒傷的功率半導(dǎo)體芯片失效定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)