本發(fā)明實(shí)施例公開了一種3D堆疊封裝集成電路芯片及其失效定位方法和裝置，其中失效定位方法包括：確定標(biāo)準(zhǔn)樣品器件中多個(gè)位于不同深度的對(duì)比檢測(cè)層；每次研磨出對(duì)比檢測(cè)層后，通過熱成像儀檢測(cè)暴露出的對(duì)比檢測(cè)層在失效狀態(tài)下不同檢測(cè)頻率對(duì)應(yīng)的相位值；根據(jù)每一對(duì)比檢測(cè)層在失效狀態(tài)下檢測(cè)頻率與相位值的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定該對(duì)比檢測(cè)層的失效定位曲線；根據(jù)每一對(duì)比檢測(cè)層的失效定位曲線對(duì)待測(cè)3D堆疊封裝集成電路芯片進(jìn)行失效定位；其中標(biāo)準(zhǔn)樣品器件為待測(cè)3D堆疊封裝集成電路芯片同類型未失效的3D堆疊封裝集成電路芯片。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了對(duì)3D堆疊封裝集成電路芯片的失效定位。