本發(fā)明涉及一種基于失效物理的MOS器件可靠性仿真評(píng)價(jià)方法，包括以下步驟：步驟一：采集MOS器件相關(guān)參數(shù)；步驟二：進(jìn)行失效模式、機(jī)理及影響分析；步驟三：建立CFD、FEA和故障預(yù)計(jì)模型；步驟四：開(kāi)展溫度、振動(dòng)、電特性仿真分析；步驟五：進(jìn)行應(yīng)力損傷分析；步驟六：進(jìn)行累積損傷分析；步驟七：考慮偏差進(jìn)行參數(shù)隨機(jī)化仿真；步驟八：利用競(jìng)爭(zhēng)失效機(jī)制得到失效前時(shí)間向量：步驟九：評(píng)估器件的平均首發(fā)故障時(shí)間。本發(fā)明基于失效物理理論，從MOS器件可能失效的原因入手，通過(guò)分析獲得器件潛在失效機(jī)理和對(duì)應(yīng)失效物理模型，進(jìn)行仿真分析確定器件使用應(yīng)力，最后計(jì)算得到MOS器件使用條件下的平均首發(fā)故障時(shí)間。此方法屬于MOS器件可靠性仿真評(píng)價(jià)技術(shù)領(lǐng)域。