本申請涉及一種方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。所述方法包括:對已預(yù)處理的集成電路施加激勵(lì)信號后進(jìn)行鎖相紅外熱成像檢測,得到紅外圖像,通過預(yù)處理提高集成電路的發(fā)射率。對紅外圖像進(jìn)行處理,得到目標(biāo)振幅圖和目標(biāo)相位圖。根據(jù)目標(biāo)振幅圖確定集成電路的失效點(diǎn)的水平位置信息。根據(jù)目標(biāo)相位圖確定集成電路的失效點(diǎn)的深度信息。目標(biāo)振幅圖表征了集成電路失效點(diǎn)的水平位置信息,目標(biāo)振幅圖表征了集成電路的失效點(diǎn)的深度信息。結(jié)合水平信息和深度信息,可以確定集成電路失效點(diǎn)的具體位置。通過預(yù)處理提高集成電路的發(fā)射率,提高了材料表面紅外發(fā)射率,提高了對集成電路失效點(diǎn)的定位精度。
聲明:
“集成電路失效點(diǎn)的定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)