本發(fā)明公開了一種半導體元件的分析方法,此方法包括提供半導體元件,且半導體元件上具有異常區(qū)域。接著,對異常區(qū)域進行聚焦式離子束顯微鏡分析程序,其中聚焦式離子束分析程序的結果顯示異常區(qū)域具有缺陷。在聚焦式離子束分析程序之后,對異常區(qū)域進行電性檢測步驟,以判斷異常區(qū)域中的缺陷是否為元件真正失效缺陷。
聲明:
“半導體元件的分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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