本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N瓷外殼功率型電阻器開(kāi)封分析方法,所述方法包括:失效點(diǎn)位置及失效原因分析方法;失效點(diǎn)位置及失效原因分析方法包括:獲取電阻器的問(wèn)題外觀圖像和問(wèn)題內(nèi)部圖像;根據(jù)問(wèn)題外觀圖像和問(wèn)題內(nèi)部圖像確定疑似失效點(diǎn)位置;對(duì)電阻器的外殼進(jìn)行化學(xué)溶解暴露出電阻膜;獲取電阻膜的問(wèn)題圖像;結(jié)合問(wèn)題圖像和疑似失效點(diǎn)位置確定失效點(diǎn)位置;根據(jù)問(wèn)題圖像確定失效點(diǎn)位置的疑似失效原因;對(duì)電阻膜進(jìn)行能譜分析得到能譜分析結(jié)果;結(jié)合能譜分析結(jié)果和疑似失效原因確定失效原因。通過(guò)結(jié)構(gòu)定位、物理測(cè)試和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的方式進(jìn)行開(kāi)封分析,解決了瓷外殼功率型電阻器的失效分析問(wèn)題,具有針對(duì)性強(qiáng),操作簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。
聲明:
“瓷外殼功率型電阻器開(kāi)封分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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