本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別涉及一種基于三維TEM樣品進(jìn)行缺陷分析的方法。包括以下步驟:提供帶有缺陷的半導(dǎo)體樣品;在待觀測區(qū)域形成第一標(biāo)記;橫向電鍍第一鉑金保護(hù)層;制備第一TEM樣品;測量缺陷到第一標(biāo)記的距離;將第一TEM樣品放置到半導(dǎo)體樣品上;縱向電鍍第二鉑金保護(hù)層;制備三維TEM樣品;三維TEM成像。本發(fā)明的技術(shù)方案,在制備三維TEM樣品的基礎(chǔ)上,進(jìn)行兩個(gè)方向的TEM觀測和成像,可以得到半導(dǎo)體制程中缺陷的形貌、大小、所處層次等全面信息,進(jìn)行對所述缺陷進(jìn)行準(zhǔn)確失效分析,從而提出對半導(dǎo)體制程的可靠改進(jìn)意見;本發(fā)明的技術(shù)方案操作方法簡單,三維TEM樣品制備效率高,對TEM樣品進(jìn)行失效分析效果好,準(zhǔn)確率高。
聲明:
“基于三維TEM樣品進(jìn)行缺陷分析的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)