本發(fā)明涉及半導(dǎo)體缺陷分析技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種缺陷分析方法,通過在去除待測半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的金屬結(jié)構(gòu)之后,于阻擋層上沉積一層與該阻擋層的材質(zhì)原子序數(shù)相差較大的襯度對比層,之后再進行常規(guī)的透射電鏡樣品制備,并采用透射電鏡對透射電鏡樣品進行觀察以對阻擋層進行缺陷分析,由于阻擋層上覆蓋有與該阻擋層的材質(zhì)原子序數(shù)相差較大的襯度對比層,從而在透射電鏡中能夠清晰的觀察阻擋層的缺陷,進而準確的進行缺陷分析;因此本發(fā)明這種主動提高透射電鏡圖像襯度分析微小缺陷的方法,可以進一步的擴展微小缺陷失效分析的能力,進而為制程工藝提供更好的技術(shù)支持。
聲明:
“缺陷分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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