本發(fā)明涉及一種鎳侵蝕缺陷在線檢測方法,用于在CMOS器件制備工藝中檢測鎳侵蝕缺陷,包括如下步驟:a)、電子束掃描儀以第一配置參數(shù)掃描CMOS器件一表面區(qū)域,濾除非線條狀缺陷,第一配置參數(shù)包括第一電流值;b)、電子束掃描儀以第二配置參數(shù)掃描該表面區(qū)域,濾除線條狀缺陷,第二配置參數(shù)包括第二電流值;c)、以透射電鏡在暗場下掃描該表面區(qū)域,確定是否存在鎳侵蝕缺陷;d)、若存在鎳侵蝕缺陷,通過失效分析對鎳侵蝕缺陷進(jìn)行核實(shí)與分類;e)、切換至另一表面區(qū)域,回到步驟a)繼續(xù)執(zhí)行。其中,第一電流值小于第二電流值。該方法準(zhǔn)確率高、實(shí)施簡單,易于在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)推廣。
聲明:
“鎳侵蝕缺陷在線檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)