本公開實施例提供一種存儲單元的檢測方法及設(shè)備,該方法包括:向存儲單元中寫入第一數(shù)據(jù);對存儲單元進(jìn)行第一讀取,以調(diào)整存儲電容的第一極板的第一電壓;對存儲單元進(jìn)行第二讀取,以獲取調(diào)整后的第一電壓對應(yīng)的第二數(shù)據(jù);根據(jù)第二數(shù)據(jù)和第一數(shù)據(jù)是否一致,確定存儲單元的存儲電容是否失效。本公開在進(jìn)行第二讀取之前,先進(jìn)行第一讀取,第一讀取的目的并不是讀取數(shù)據(jù),而是為了通過第一讀取降低位線回存給第一極板的電壓,從而使后續(xù)進(jìn)行第二讀取時讀取錯誤率較高,進(jìn)而可以檢測出來更多失效的存儲電容。這樣,就可以將漏電更小的離群存儲電容檢測出來。
聲明:
“存儲單元的檢測方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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