本公開提供一種蝕刻缺陷檢測方法,涉及半導體技術領域。該檢測方法包括:提供襯底,襯底上依次形成有導電層以及介質層;對介質層進行蝕刻處理,以形成溝槽結構;以導電層作為陰極,采用電鍍工藝在溝槽結構內填充電鍍層,以形成待測產(chǎn)品;采用缺陷密度檢測組件測試待測產(chǎn)品,以獲取溝槽結構的頂視圖像,根據(jù)頂視圖像確定待測產(chǎn)品的蝕刻缺陷。本公開的蝕刻缺陷檢測方法可提高缺陷識別準確率,防止電容因懸空而失效。
聲明:
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