本發(fā)明提供一種檢測(cè)經(jīng)平坦化處理的晶片的平坦程度的方法，包括：在形成有金屬塞的晶片表面形成金屬層，經(jīng)刻蝕，使其形成多個(gè)彼此間隔的金屬區(qū)；進(jìn)行平坦化處理；形成金屬測(cè)試層；局部刻蝕金屬測(cè)試層，使其形成具有多道彎折的蛇形金屬測(cè)試區(qū)，所形成的蛇形金屬測(cè)試區(qū)位于與金屬區(qū)間隔處相對(duì)應(yīng)的位置上，并且使蛇形金屬測(cè)試區(qū)的兩端分別與未刻蝕的金屬測(cè)試層連接，形成試樣金屬測(cè)試層；分別檢測(cè)試樣金屬測(cè)試層和對(duì)照金屬測(cè)試層的電參數(shù)，通過(guò)兩者電參數(shù)值之間的接近程度來(lái)評(píng)估晶片的平坦程度。本發(fā)明在制備CMOS器件過(guò)程中即可將平坦程度較差的芯片報(bào)廢，從而避免進(jìn)行后續(xù)的封裝測(cè)試或者器件在后續(xù)應(yīng)用中失效而帶來(lái)更大的危害或造成更大的損失。