一種檢測柵氧化層完整性的方法,包括:根據(jù)目標顯著性水平、目標失效數(shù)以及目標缺陷密度,獲得最小樣本數(shù);以大于或等于所述最小樣本數(shù)的被測
芯片樣本數(shù),進行斜坡電壓測試;對被測芯片是否通過斜坡電壓測試進行評估。所述檢測柵氧化層完整性的方法能夠獲得更為經(jīng)濟和準確的測試結(jié)果。
聲明:
“檢測柵氧化層完整性的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)