一種檢測(cè)掩膜版設(shè)計(jì)規(guī)則的方法,涉及半導(dǎo)體工藝制程領(lǐng)域,包括如下步驟:步驟1,采用自行設(shè)計(jì)特定的掩膜版,通過光刻區(qū)域的光刻膠涂布顯影機(jī)和曝光機(jī)實(shí)現(xiàn)掩膜版上圖形轉(zhuǎn)移,用檢測(cè)機(jī)臺(tái)確定不同尺度的圖形坍塌缺失在不同厚度下和不同顯影槽清洗轉(zhuǎn)速下的工藝窗口;步驟2,確定如光刻膠類型,厚度,顯影噴嘴類型,去離子水清洗最高轉(zhuǎn)速之間的最佳工藝窗口;步驟3,綜合考慮光刻膠類型,厚度,顯影噴嘴類型,去離子水清洗最高轉(zhuǎn)速等因素,確定保持盡可能大的工藝窗口的掩膜版設(shè)計(jì),調(diào)整現(xiàn)有的工藝參數(shù)至最佳。本發(fā)明可以改善圖形轉(zhuǎn)移失效的情況,提高了效率,節(jié)省了人力和物力。
聲明:
“檢測(cè)掩膜版設(shè)計(jì)規(guī)則的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)