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MEMS用硅單晶的缺陷檢驗方法

1164   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 09:00:12
本發(fā)明涉及一種MEMS用硅單晶的缺陷檢驗方法。第一步:從預(yù)用單晶棒的頭尾切取硅片,加工成拋光片;第二步:模擬鍵合工藝的熱過程,將硅片在400℃~600℃條件下進爐熱處理3~5小時后取出;第三步:深度化學(xué)腐蝕,腐蝕時間為40~45min,腐蝕去除量為120~140μm時取出硅片;第四步:在硅片上畫格,再用金相顯微鏡觀察每一個方格,若存在直徑大于100μm的腐蝕坑,則判定為不合格;效果是:通過模擬MEMS工藝熱過程和深度化學(xué)腐蝕,能夠提前判定硅單晶是否合格。若硅片經(jīng)歷熱過程和深度化學(xué)腐蝕后出現(xiàn)直徑大于100μm的較大腐蝕坑,此棵單晶棒則不投入生產(chǎn),可避免硅片在制作器件工藝過程后發(fā)現(xiàn)失效,減小了損失。
聲明:
“MEMS用硅單晶的缺陷檢驗方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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