本發(fā)明提供一種閃存器件的測試結構及其制造方法,在第一金屬互連層制造完成后就可以直接進行字線和控制柵極、字線與位線、位線與位線之間的橋接漏電測試,節(jié)約了現(xiàn)有技術中等待第二金屬互連層、第三金屬互連層的制作時間,同時第一金屬互連層與有源區(qū)線、字線、控制柵極線之間的連接方式簡化了第二金屬互連層、第三金屬互連層的互連結構,因此能夠簡化制程,降低失效分析所花費的時間和工藝成本。
聲明:
“閃存器件測試結構及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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