提供一種半導(dǎo)體存儲裝置,具有可瞬時進(jìn)行涵蓋全地址空間的失效位圖的確認(rèn)的單元。具備如下強制控制電路中的任意一種:對由特定的地址信號所選擇的內(nèi)存單元的寫入數(shù)據(jù)或讀出數(shù)據(jù)的邏輯進(jìn)行強制控制的數(shù)據(jù)邏輯強制控制電路(21),對由特定的行地址所選擇的內(nèi)存單元的控制,強制進(jìn)行與通常動作不同的控制的特定行強制控制電路(40),對由特定的列地址所選擇的內(nèi)存單元的控制,強制進(jìn)行與通常動作不同的控制的特定列強制控制電路(50)。該強制失效動作模式與通常動作模式可分別選擇。
聲明:
“半導(dǎo)體存儲裝置及檢查方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)