本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料測量設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種用于測試半導(dǎo)體薄膜塞貝克系數(shù)的基片及制備和測試方法。其在拋光基底上沉積圖形化的絕緣層，之后在圖形化區(qū)域內(nèi)填充熱電阻電極、熱電阻、測試電極及引線，電極和引線圖形根據(jù)Seebeck系數(shù)測試要求設(shè)計(jì)，當(dāng)測試半導(dǎo)體薄膜Seebeck系數(shù)時(shí)，被測薄膜沉積在有效區(qū)域內(nèi)，覆蓋在引線之上，在兩個(gè)熱電阻電極上連接一大電流電源，熱電阻溫度由電源電流大小控制，待熱電阻溫度恒定，探測測溫點(diǎn)之間溫度差，并采集各個(gè)測試電極間的電位差，從而獲得材料的Seebeck系數(shù)。采用本發(fā)明測試Seebeck系數(shù)時(shí)，既不會(huì)由于高溫而導(dǎo)致引線失效，也不會(huì)使探針與被測薄膜直接接觸造成樣品損壞，從而推進(jìn)薄膜Seebeck系數(shù)測試設(shè)備的商業(yè)化應(yīng)用。