本公開提供一種用于預(yù)測PMOS元件NBTI壽命的半導(dǎo)體元件測試方法與半導(dǎo)體元件測試系統(tǒng)。半導(dǎo)體元件測試方法包括:提供多個相同的PMOS元件;在預(yù)設(shè)溫度下對第n個所述PMOS元件的柵極多次施加時長不同的第n個預(yù)設(shè)負(fù)偏壓,以獲取多個預(yù)設(shè)負(fù)偏壓下多個施壓時長對應(yīng)的所述PMOS元件的漏極飽和電流老化率;將多個所述漏極飽和電流老化率帶入預(yù)設(shè)方程以確定所述預(yù)設(shè)方程的擬合結(jié)果,獲取對應(yīng)于施壓值和施壓時長的漏極飽和電流老化率變化曲線;根據(jù)所述漏極飽和電流老化率變化曲線確定所述PMOS元件在標(biāo)準(zhǔn)工作電壓下漏極飽和電流老化率達(dá)到預(yù)設(shè)失效值時對應(yīng)的時間。本公開提供的半導(dǎo)體元件測試方法可以提高測試PMOS元件NBTI壽命的效率和準(zhǔn)確度。
聲明:
“半導(dǎo)體元件測試方法與半導(dǎo)體元件測試系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)