本公開實施例公開了一種CMOS器件壽命預(yù)測方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。其中CMOS器件壽命預(yù)測方法包括：獲取CMOS器件在加速應(yīng)力試驗下電參數(shù)的時間序列樣本數(shù)據(jù)集，所述時間序列樣本數(shù)據(jù)集包括表征所述CMOS器件壽命的電參數(shù)退化量的時間序列樣本數(shù)據(jù)；基于所述時間序列樣本數(shù)據(jù)集得到訓(xùn)練集；用所述訓(xùn)練集訓(xùn)練時序模型，獲得壽命預(yù)測模型；用所述壽命預(yù)測模型預(yù)測所述CMOS器件的失效時間。上述技術(shù)方案減少了現(xiàn)有技術(shù)中因?qū)MOS器件進行完整的加速應(yīng)力試驗以確定其使用壽命的時間成本，提高了產(chǎn)品質(zhì)檢效率，縮短了CMOS器件的生產(chǎn)周期，解決了CMOS器件生產(chǎn)效率低的問題。